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太田 優一 (PI)
研究棟E201
ota.yuichiあっとpu-toyama.ac.jp

私はもともと、MOCVDによる半導体の結晶成長を行っていた「実験屋」出身の研究者です。 現在はその経験を活かし、第一原理計算によるシミュレーション研究をメインに行っています。

研究対象は無機結晶であれば幅広く興味がありますが、最近のテーマは「超ワイドバンドギャップ半導体」です。 Siでは実現不可能な優れたデバイス材料を見つけ出し、新しい電子制御の仕組みを世の中に提案することを目指しています。

さらに、AI(人工知能)を活用して未知の機能を持つ材料をスピーディに見つけ出す、最先端の材料開発にも挑戦しています。


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修士:1名

R.K. (M2):ScBN混晶の電子状態計算

学部:4名

(B4):TBA

(B4):TBA